Zhang Ping’an, el director ejecutivo de Nube de Huawei, reconoció que China enfrenta dificultades para asegurar semiconductores de 3.5 nanómetros ante las restricciones del gobierno de Estados Unidos.

Lo anterior pone en jaque la capacidad del país asiático para alcanzar su objetivo de ser líder global en la industria de chips, dado que los semiconductores de 3.5 nm son importantes para aumentar el rendimiento y el ahorro energético de los chips.

En junio, durante la Conferencia de Red de Computabilidad Móvil en Suzhou, China, Zhang Ping’an dijo que, “bajo las sanciones de Estados Unidos, China no tiene forma de asegurar estos productos”.

“Es una suerte que hayamos logrado abordar el problema de los 7 nm. La realidad es que no podemos introducir equipos de fabricación avanzados debido a las sanciones de Estados Unidos, y necesitamos encontrar formas de utilizar eficazmente los semiconductores de 7 nm“, afirmó el ejecutivo, según declaraciones recogidas por Business Korea.

Para producir semiconductores de 3.5 nanómetros, China necesita máquinas de litografía ultravioleta extrema (EUV), pero EE. UU. ha bloqueado el acceso a esta tecnología.

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En noviembre de 2023, el gobierno holandés prohibió a la empresa ASML ―que proporciona las máquinas para fabricar los microchips más avanzados del mundo― vender máquinas de litografía de luz ultravioleta extrema a clientes chinos, luego de que EE. UU. pidiera al país limitar la tecnología relacionada con semiconductores.

Y aunque China busca construir su propia maquinaria de EUV, es complicado que pueda tener acceso a las patentes.

En medio de la guerra tecnológica que han mantenido Estados Unidos y China, el país norteamericano ha intensificado sus medidas para bloquear los esfuerzos de China para escalar en el liderazgo tecnológico.

China ha destinado más de 150 mil millones de dólares para fortalecer su fabricación de chips, lo cual es el triple de recursos que ha dispuesto EE. UU. La Ley de CHIPS del presidente nortemaericano Joe Biden aprobó fondos por 52 mil millones para repuntar la fabricación nacional de chips.

Actualmente, Asia domina el mercado de producción de semiconductores con Taiwán, Corea del Sur, Japón y Singapur. En cambio, Estados Unidos perdió terreno: pasó de tener el 37 por ciento de la fabricación mundial a sólo el 11 por ciento en las últimas tres décadas.

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China también ha querido abrirse paso en el mercado. Particularmente, Huawei ha incrementado su producción masiva de chips y logró fabricar semiconductores de 7 nm sin utilizar tecnología ultravioleta extrema.

Sin embargo, las declaraciones de Zhang Ping’an ponen de manifiesto que aún hay dificultades que sortear, aunque eso no significa que China desista en encontrar otras formas de eludir las restricciones de Estados Unidos.

Recién en mayo, además de los 150 mil millones de dólares, el gobierno chino lanzó otro fondo por 47 mil millones de dólares para impulsar la autosuficiencia del país en esta carrera global.

Samsung ha anunciado el inicio de la producción de chips con un proceso de 3 nanómetros (nm) mediante la implementación de la arquitectura de transistores ‘Gate-All-Around’ (GAA), que mejora la eficiencia energética e incrementa el rendimiento.

La tecnología de apilamiento GAA utilizada por Samsung emplea nanoláminas con canales más anchos en lugar de nanocables con canales más estrechos para hacer transistores, una actualización de FinFET, en una superficie que tiene un área 16 por ciento más pequeña que antes.

Esta arquitectura se recoge bajo el nombre de Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), y permite reducir el voltaje de suministro, al mismo tiempo que aumenta la capacidad de corriente de la unidad, superando las ventajas que hasta ahora ofrecería FinFET, según señala Samsung en un comunicado.

El fabricante surcoreano dijo que el proceso se usaría inicialmente para “computación de alto rendimiento y bajo consumo”, con planes para expandir el proceso a procesadores móviles más adelante.

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Samsung afirma que en comparación con el proceso de 5 nm, el proceso de 3 nm de primera generación puede reducir el consumo de energía hasta en un 45 por ciento, mejorar el rendimiento en un 23 por ciento y reducir el área en un 16 por ciento, mientras que el proceso de 3 nm de segunda generación reduce el consumo de energía hasta en un 50 por ciento, mejora el rendimiento en un 30 por ciento y reduce el área en un 35 por ciento.

Los fabricantes han acelerado la carrera por la fabricación de chips más rápidos y eficientes, conforme se acercan a lo que se ha considerado como el fin de la Ley de Moore. Si bien la medida de los nanómetros causa polémica respecto a su verdadero significado e impacto sobre el rendimiento de los microprocesadores modernos, los fabricantes se han aprovechado de esta medida para comunicar una mejora en el rendimiento de estos componentes.

A mediados de 2021, IBM anunció por primera vez la disponibilidad de tecnología de nanoestructura para la fabricación de chips de 2 nanómetros (nm), mientras que un año antes, el fabricante taiwanés TSMC había adelantado que su proceso de 3 nm estaría listo para 2022 y el de 2 nm para 2024.