Samsung actualiza su estrategia para fundición de semiconductores

Samsung anunció que comenzará la producción en masa del proceso de 2 nm en 2025.

Samsung Electronics presentó nuevas tecnologías y una estrategia de fundición de semiconductores actualizada para reforzar su presencia en el mercado, que incluye nuevas aplicaciones del proceso de 2 nm, la expansión de una de sus fábricas en Corea del Sur, así como un mayor acercamiento con sus socios para la formación del ecosistema.

Durante el 7° Foro Fundición de Samsung (SFF) 2023, la compañía surcoreana presentó los planes para su división Samsung Foundry, que le permitirá abordar las necesidades de los clientes en la era de la Inteligencia Artificial (IA).

Samsung Foundry siempre ha satisfecho las necesidades de los clientes al adelantarse a la curva de innovación tecnológica y, hoy, confiamos en que nuestra tecnología avanzada de nodos basada en gate-all-around (GAA) será fundamental para respaldar las necesidades de nuestros clientes que utilizan aplicaciones de IA”, dijo el Siyoung Choi, presidente y jefe de negocios de fundición de Samsung Electronics.

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Crédito: Samsung

Entre las principales novedades, Samsung anunció planes detallados para la producción en masa de su proceso de 2 nm (SF2), que comenzará en 2025 para aplicaciones móviles, luego se expandirá a cómputo de alto rendimiento (HPC) en 2026 y automotriz en 2027.

La compañía afirma que este proceso ha mostrado un aumento del 12 por ciento en el rendimiento, un aumento del 25 por ciento en la eficiencia energética y una disminución del 5 por ciento en el área, en comparación con el proceso de 3 nm (SF3).

Samsung reafirmó el 2027 como el año para iniciar la producción en masa del proceso de 1.4 nm (SF1.4).

Asimismo, informa que a partir de 2025, Samsung comenzará los servicios de fundición de semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) de 8 pulgadas destinados a aplicaciones de consumo, centros de datos y automoción. El GaN se ha identificado como un material que podría servir como reemplazo o complemento del silicio en la fabricación de semiconductores.

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Por otro lado, la compañía indicó que estos avances en la fabricación de semiconductores permitirán también la introducción de chips de radiofrecuencia (RF) de 5 nm en 2025, los cuales podrán ser utilizados en el impulso de las futuras redes 6G. Según Samsung, este proceso muestra un aumento del 40 por ciento en la eficiencia energética y una disminución del 50 por ciento de área en comparación con el proceso anterior de 14 nm.

Además, la compañía agregará aplicaciones automotrices a su RF de 8 nm y 14 nm, expandiéndose más allá de las aplicaciones móviles que actualmente aprovechan estos componentes.

Estabilización de la cadena de suministro

Tras los efectos de la pandemia por Covid-19 y los nuevos conflictos geopolíticos entre China y Estados Unidos, empresas de semiconductores globales analizaron alternativas que les permitiera sortear estas nuevas dificultades y garantizar la seguridad de los componentes.

En ese sentido, Samsung presentó la estrategia de operación “Shell-First”, que tiene como objetivo invertir y desarrollar en nuevas capacidades mediante la adición de líneas de fabricación en Pyeongtaek, Corea del Sur, y Taylor, Texas. Los planes de expansión actuales aumentarán la capacidad de “sala blanca” de la empresa en 7.3 veces para 2027 en comparación con 2021.

La compañía planea comenzar la producción en masa de productos de fundición para aplicaciones móviles y otras aplicaciones en la Línea 3 de Pyeongtaek en la segunda mitad del año. También se espera que la nueva fábrica en Taylor finalice este año, comenzando a operar en la segunda mitad de 2024.

Finalmente, otra de las iniciativas presentadas por Samsung fue el lanzamiento de la MDI Alliance, que buscará atender la creciente demanda de chiplets (múltiples chips integrados en un mismo die) en móviles y HPC.

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