miércoles, febrero 8, 2023
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Samsung anuncia primera memoria DRAM fabricada en 12 nm

Samsung presentó un nuevo chip DRAM con velocidad de hasta 7.2 Gbps.

Samsung Electronics anunció la disponibilidad del chip DRAM DDR5 de 16 gigabits (Gb) construida con la primera tecnología de proceso de 12 nanómetros (nm) de la industria. La compañía anunció también la compatibilidad de estos chips de memoria con los nuevos procesadores Ryzen 7000 Series de AMD.

En un comunicado, Samsung explica que este hito fue posible gracias al uso de un nuevo material dieléctrico de alto κ que aumenta la capacitancia de la celda y una tecnología de diseño patentada que mejora las características críticas del circuito.

En combinación con la litografía ultravioleta extrema (EUV) de multicapa avanzada, la nueva DRAM presenta la pastilla de mayor densidad de la industria, lo que permite una ganancia del 20 por ciento en la productividad de las obleas.

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“Con un rendimiento y una eficiencia energética excepcionales, esperamos que nuestra nueva DRAM sirva como base para operaciones más sostenibles en áreas como la informática de última generación, los centros de datos y los sistemas impulsados por IA”, dijo Jooyoung Lee, vicepresidente Ejecutivo de productos y tecnología DRAM de Samsung Electronics.

En ese sentido, el fabricante surcoreano afirma que con un ahorro en el consumo de energía de un 23 por ciento en comparación a la DRAM anterior, permitirá impulsar los proyectos de sostenibilidad de la industria informática.

Samsung asegura que la DRAM de clase 12 nm permitirá ofrecer velocidades de hasta 7.2 gigabits por segundo (Gbps). Esto es equivalente al procesamiento de dos películas UHD de 30 gigabytes (GB) en solo un segundo.

Se espera que la producción en masa de esta nueva memoria comience en 2023 en una amplia gama de segmentos de mercado, en colaboración con diversos socios de la industria para respaldar la rápida expansión del cómputo de próxima generación.

Efrén Páez Jiménez
Efrén Páez Jiménez
Efrén Páez Jiménez es economista

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