Samsung Electronics anunció el desarrollo de la primera DRAM de 128 gigabytes (GB) de la industria con soporte para Compute Express Link (CXL) 2.0, lo cual brindará un ancho de banda de hasta 35 Gbps.
La compañía surcoreana espera que la DRAM CXL de 128 GB basada en CXL 2.0 acelere la comercialización de soluciones de memoria de próxima generación. Esta nueva DRAM será compatible con PCle 5.0 (x8 carriles).
En un comunicado, Samsung explica que este nuevo componente se desarrolló en conjunto con Intel, mediante una plataforma Xeon. Samsung pertenece también a la Junta Directiva del Consorcio CXL.
“Este desarrollo innovador subraya nuestro compromiso de expandir el ecosistema CXL aún más a través de asociaciones con empresas de centros de datos, servidores y conjuntos de chips en toda la industria”, dijo Jangseok Choi, vicepresidente del Equipo de Planificación de Nuevos Negocios de Samsung Electronics.
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Por primera vez, CXL 2.0 es compatible con la agrupación de memoria (memory pooling), una técnica de administración de memoria que vincula múltiples bloques de memoria CXL en una plataforma de servidor para formar un grupo y permitir que los hosts asignen memoria dinámicamente según sea necesario.
Samsung planea comenzar a producir en masa CXL 2.0 DRAM a finales de este año y señala que está preparada para ofrecer ofertas adicionales en varias capacidades para abordar la demanda de futuras aplicaciones informáticas. Montage Technology sería la encargada de la producción de los primeros controladores compatibles con CXL 2.0.
CXL es una interfaz de próxima generación que agrega eficiencia a los aceleradores, DRAM y dispositivos de almacenamiento utilizados con CPU en sistemas de servidores de alto rendimiento. Dado que su ancho de banda y capacidad se pueden expandir cuando se usa con la DRAM principal, se espera que el avance de la tecnología genere un impacto positivo en el mercado informático de próxima generación, donde tecnologías clave como la Inteligencia Artificial (AI) y el Aprendizaje Automático (ML) han liderado a un rápido aumento de la demanda de procesamiento de datos de alta velocidad.