Intel presenta sus planes para mantener la vigencia de la Ley de Moore más allá de 2025
Intel presentó avances clave para la tecnología de empaquetado, transistores y física cuántica, como parte de sus esfuerzos de investigación y desarrollo en semiconductores que mantendrían vigente la Ley de Moore hacia el 2025 y más.
Durante el reciente IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2021, Intel presentó soluciones para los desafíos de proceso, diseño y ensamblaje de la interconexión de enlace híbrido, que promete una mejora de la densidad de interconexión 10 veces mayor en el empaque.
En julio, Intel presentó Foveros Direct, que permite conexiones de menos de 10 micrones, lo que proporciona un aumento de orden de magnitud en la densidad de interconexión para el apilamiento 3D. Para permitir que el ecosistema obtenga los beneficios del empaquetado avanzado, la compañía también considera relevante el establecimiento de nuevos estándares de la industria y procedimientos de prueba para permitir un ecosistema de chipset de enlace híbrido.
Como parte de sus objetivos para dominar la era posterior a FinFET, Intel presentó también un nuevo enfoque para apilar transistores múltiples (CMOS) con el objetivo de lograr una mejora maximizada de escalamiento lógico del 30 por ciento al 50 por ciento.
Intel también está trabajando en materiales novedosos que tienen unos pocos átomos de espesor para hacer transistores que puedan superar las limitaciones de los canales de silicio.
En materia de silicio, la firma presentó avances en tecnologías de energía eficiente a través de la primera integración del mundo de interruptores de energía basados en GaN con CMOS basados en silicio en una oblea de 300 mm. Esto ha preparado el escenario para la alimentación de alta velocidad y la entrega con bajas pérdidas a la CPU, al tiempo que reduce los componentes y el espacio de la placa base.
Las capacidades de lectura/escritura de baja latencia de Intel también son otro avance que utilizará materiales ferroeléctricos novedosos para una posible tecnología DRAM incorporada de próxima generación, que permitirá ofrecer mayores recursos de memoria y abordar la creciente complejidad de las aplicaciones informáticas, desde juegos hasta Inteligencia Artificial.
En cuanto a computación cuántica, Intel apuntó a nuevos componentes que permitirían la computación cuántica de alto rendimiento basada en transistores de silicio y nuevos conmutadores para la computación de bajo consumo.
Durante el evento, Intel demostró la realización de un dispositivo lógico de órbita de giro magnetoeléctrico (MESO) a temperatura ambiente. Esto evidenció la capacidad de fabricación potencial de un nuevo tipo de transistor basado en conmutación de imanes a nanoescala.
Intel e IMEC también avanzan en la investigación de materiales espintrónicos para acercar la investigación de integración de dispositivos a la realización de un dispositivo de torque de giro completamente funcional. Intel también mostró flujos de proceso qubit completos de 300 mm para la realización de computación cuántica escalable, que es compatible con la fabricación CMOS e identifica los próximos pasos para futuras investigaciones.