GlobalWafers recibirá subsidios por 400 mdd para fabricación de obleas en Estados Unidos
El gobierno de Estados Unidos reveló que habría alcanzado un acuerdo preliminar para otorgar un financiamiento de hasta 400 millones de dólares a GlobalWafers, que serán utilizados para acelerar la fabricación de obleas de silicio, la base para la manufactura de semiconductores.
La inversión propuesta permitiría acelerar la construcción y expansión de dos plantas de manufactura de obleas de silicio de 300 milímetros en las ciudades de Sherman, Texas, y St. Peters, Missouri. GlobalWafers es una de las cinco principales compañías de fabricación de obleas en el mundo.
Según el gobierno estadounidense, este proyecto apoyaría la creación de mil 700 puestos de trabajo en la construcción y 880 en la fabricación. Se estima que el financiamiento permitiría impulsar gastos de capital totales de aproximadamente 4 mil millones de dólares en ambos estados.
El financiamiento anunciado sería parte de los 52 mil millones de dólares de fondos disponibles para la Ley de CHIPS y Ciencia, que busca acelerar la fundición de semiconductores en Estados Unidos, y contrarrestar la dependencia hacia naciones asiáticas. Se estima que más del 90 por ciento de las obleas provienen del Este de Asia.
El proyecto de GlobalWafers en Texas implicaría la instalación de la primera planta de fabricación de obleas de silicio de 300 mm para chips avanzados en suelo estadounidense, que permitiría la fabricación de semiconductores de memoria y avanzados.
En tanto, el proyecto de Missouri considera una nueva instalación para producir obleas de silicio sobre aislante (SOI, por sus siglas en inglés) de 300 mm. Este tipo de obleas se utilizan habitualmente en los sectores de defensa y aeroespacial.
“Con esta inversión propuesta, GlobalWafers desempeñará un papel crucial en el refuerzo de la cadena de suministro de semiconductores de Estados Unidos, proporcionando una fuente nacional de obleas de silicio que son la columna vertebral de los chips avanzados”, declaró la Secretaria de Comercio de Estados Unidos, Gina Raimondo.
Además, como parte del acuerdo preliminar, GlobalWafers planea convertir una parte de sus actuales instalaciones de fabricación de obleas epitaxiales de silicio en Sherman, Texas, a la fabricación de obleas epitaxiales de carburo de silicio (“SiC”), produciendo obleas epitaxiales de SiC de 150 mm y 200 mm.
Las obleas epitaxiales de SiC son un componente crítico para las aplicaciones de alto voltaje, entre las que destacan los vehículos eléctricos y las infraestructuras de energías limpias, según explican en un comunicado.
GlobalWafers también colaborará con la Universidad Metodista del Sur y la Universidad de Texas en Dallas para el desarrollo de talento especializado en el área de semiconductores. La compañía también continuará impulsando programas para el desarrollo de técnicos especializados en las secundarias y bachilleratos de las ciudades involucradas en el proyecto.