Samsung anuncia desarrollo de memoria GDDR7 de 24 Gb

El gigante surcoreano de tecnología, Samsung Electronics, reveló que desarrolló la primera memoria DRAM GDDR7 de 24 gigabits (Gb) del sector. Además de la alta capacidad, otras características como su velocidad le permitirán atender casos de uso que demanden memoria de alto rendimiento como los centros de datos y las estaciones de trabajo de Inteligencia Artificial (IA), también de usos tradicionales como consolas de videojuegos y vehículos autónomos.

“Tras desarrollar la primera GDDR7 de 16 Gb del sector el año pasado, Samsung ha reforzado su liderazgo tecnológico en el mercado de la DRAM para gráficos con este último logro”, afirmó YongCheol Bae, vicepresidente ejecutivo de Planificación de Productos de Memoria de Samsung.

La GDDR7 de 24 Gb utiliza DRAM de clase 10 nanómetros (nm) de 5ª generación, lo que permite aumentar la densidad de celdas en un 50 por ciento, manteniendo el mismo tamaño de encapsulado que su predecesora, según explica la compañía.

Además del nodo de proceso avanzado, se utiliza señalización de modulación de amplitud de pulsos (PAM3) de tres niveles para ayudar a alcanzar una velocidad de 40 gigabits por segundo (Gbps), lo que representa una mejora del 25 por ciento respecto a la versión anterior. El rendimiento de la GDDR7 puede mejorarse aún más hasta alcanzar los 42.5 Gbps, en función del entorno de uso.

Samsung afirma que la eficiencia energética también se ha mejorado aplicando por primera vez a la DRAM gráfica tecnologías que antes se utilizaban en productos móviles. Mediante la aplicación de métodos como la gestión del control del reloj y el diseño de doble VDD, se puede reducir significativamente el consumo innecesario de energía, lo que supone una mejora de más del 30 por ciento en la eficiencia energética.

La validación de la GDDR7 de 24 Gb en los sistemas de computación de IA de nueva generación de los principales clientes de GPU comenzará este año, con planes de comercialización para principios del próximo año.

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