Rapidus inicia producción de semiconductores de 2 nm en Japón
Rapidus Corporation, fabricante japonés de semiconductores, anunció que inició el prototipado de su transistor GAA (Gate-All-Around) de 2 nanómetros (nm) en su planta de fundición IIM-1. Este proceso estará además disponible para terceros a partir del primer trimestre de 2026, a través de un kit de desarrollo, a la vez que prepara un entorno para que los clientes puedan comenzar a desarrollar sus propios prototipos. Rapidus comenzará la producción en masa en 2027.
El fabricante destaca los avances de IIM-1, que en menos de tres años ha alcanzado los hitos previstos, desde la finalización de la sala limpia en 2024 y hasta la conexión de más de 200 de los equipos de semiconductores más avanzados del mundo en junio de 2025. Lo anterior se complementa con el anuncio del prototipado de transistores GAA de 2 nm y la obtención de las características eléctricas.
La compañía se habría beneficiado de un proyecto de financiación de alrededor de 4,000 millones de dólares provistos por el gobierno japonés, según información de Bloomberg. En ese sentido, la compañía forma parte de los esfuerzos del gobierno para incrementar su participación en el mercado global de semiconductores, conforme se intensifica la competencia entre las grandes potencias mundiales por fortalecer su soberanía tecnológica.
Rapidus explica que el proceso se compone de una sola oblea, en la cual se pueden realizar ajustes, inspeccionarla y, si se obtienen resultados, aplicarlos a todas las obleas subsiguientes. Según la compañía, una sola oblea captura más datos, lo que permite entrenar modelos de Inteligencia Artificial (IA) para mejorar la producción de obleas y aumentar el rendimiento.
El fabricante japonés asegura que es una de las primeras empresas en comercializar el procesamiento de una sola oblea, un aspecto fundamental de su Servicio de Fabricación Rápida y Unificada (RUM).
Adicionalmente, estos nuevos semiconductores de 2 nm serán fabricados bajo procesos de litografía ultravioleta extrema (EUV), requerido para la formación de la estructura GAA, siendo el primer proceso de este tipo en la isla asiática.