Samsung inicia producción en masa de memoria HBM4, con grandes expectativas de venta
Samsung Electronics inició la producción en masa de su memoria avanzada HBM4, lo que incluye el envío de productos comerciales a sus clientes. La introducción de estos componentes se da en medio de dificultades de acceso a chips de memoria, conforme se acelera su demanda para atender las necesidades de cómputo de los Centros de Datos para Inteligencia Artificial (IA).
En un comunicado, Samsung detalla las novedades de este nuevo chip de memoria, que incluye el uso de proceso DRAM de 10 nanómetros, hasta el apilamiento de 12 capas para una mayor densidad de transistores, logrando un mejor rendimiento respecto a las opciones actualmente disponibles en el mercado.
“En lugar de optar por el camino convencional de utilizar diseños ya probados, Samsung dio el salto y adoptó los nodos más avanzados, como la DRAM de 1c y el proceso lógico de 4 nm para HBM4”, declaró Sang Joon Hwang, vicepresidente ejecutivo y director de Desarrollo de Memoria de Samsung Electronics.
El fabricante surcoreano asegura que la memoria HBM4 ofrece una velocidad de procesamiento constante de 11.7 gigabits por segundo (Gbps), superando el estándar de la industria de 8 Gbps. También implica un aumento de 1.22 veces con respecto a la velocidad máxima de pin de 9.6 Gbps de su predecesor, el HBM3E. El rendimiento del HBM4 también se puede mejorar hasta 13 Gbps.
Además, el ancho de banda total de memoria por pila se incrementa 2.7 veces en comparación con la generación anterior, con hasta un máximo de 3.3 terabytes por segundo (TB/s).
Estos nuevos componentes de memoria aprovechan el proceso DRAM de 10 nanómetros (nm) de sexta generación (1c) de Samsung, así como tecnología de apilamiento de 12 capas, que permite lograr capacidades desde los 24 GB hasta los 36 GB. La compañía también mantendrá sus opciones de capacidad alineadas con los plazos de los clientes futuros mediante el uso de apilamiento de 16 capas, lo que ampliará la oferta hasta 48 GB.
“Al aprovechar la competitividad de nuestros procesos y la optimización del diseño, podemos asegurar un margen de rendimiento considerable, lo que nos permite satisfacer las crecientes demandas de nuestros clientes de un mayor rendimiento cuando lo necesitan”, agregó Joon Hwang.
Adicionalmente, para abordar los desafíos de consumo energético y térmico derivados de la duplicación de las operaciones de entrada y salida (E/S) de datos, Samsung ha integrado soluciones avanzadas de diseño de bajo consumo en el chip del núcleo. HBM4 también logra una mejora del 40% en la eficiencia energética al aprovechar la tecnología de bajo voltaje a través de silicio (TSV) y la optimización de la red de distribución de energía (PDN), a la vez que mejora la resistencia térmica en un 10% y la disipación de calor en un 30%, en comparación con HBM3E.
En general, Samsung resalta que está impulsando su plan de desarrollo de HBM, garantizando capacidad de producción de DRAM para cumplir con la demanda de memoria. Además, el fabricante surcoreano señala que busca expandir su colaboración técnica con socios clave, como fabricantes globales de GPU e hiperescaladores, enfocándose en el desarrollo de ASIC de próxima generación.
Samsung prevé que sus ventas de HBM se triplicarán en 2026 en comparación con 2025, para lo que está ampliando proactivamente su capacidad de producción de HBM4. Se espera que el muestreo de HBM4E comience en la segunda mitad de 2026, mientras que las muestras de HBM personalizadas comenzarán a llegar a los clientes en 2027.