GlobalWafers comienza a recibir fondos de la Ley CHIPS para fabricar obleas de silicio
GlobalWafers, compañía taiwanesa dedicada a la fabricación de chips, completó los trámites para la recepción de fondos de la Ley CHIPS, lo que le permitirá acceder a una financiación directa por hasta 406 millones de dólares, según anunció el Departamento de Comercio de los Estados Unidos.
Los fondos otorgados se dan en el marco del proyecto Oportunidad de Financiación para Instalaciones de Fabricación Comercial del Programa de Incentivos CHIPS, y serán otorgados a la compañía en función al cumplimiento de hitos del proyecto de GlobalWafers (GWA).
“Las obleas semiconductoras que se producirán aquí en los EE. UU. gracias a esta inversión en GlobalWafers son la base de los chips avanzados que nos ayudarán a superar en innovación y competencia al resto del mundo”, dijo la secretaria de Comercio, Gina Raimondo.
Se estima que el proyecto, anunciado en julio, generará más de 2 mil puestos de trabajo en Texas y Missouri. Asimismo, los subsidios públicos formarán parte de una inversión más amplia de 4 mil millones de dólares, destinados principalmente a la fabricación de obleas de silicio.
Los subsidios se utilizarán en la construcción de instalaciones de fabricación de obleas en Texas y Missouri. Se espera un impacto de mil 700 puestos de trabajo en la construcción y 880 puestos de trabajo en la fabricación en ambos estados. La planta de GWA en Texas será la primera planta avanzada de fabricación de obleas de silicio de alto volumen de 300 mm en Estados Unidos; las obleas de silicio de esta planta se utilizarán en la fabricación de dispositivos avanzados de vanguardia y de memoria.
Por su parte, la planta de MEMC, filial de GlobalWafers, instalada en Missouri, será un centro de producción nacional para obleas de silicio sobre aislante (SOI) de 300 mm; las obleas SOI de esta planta serán un insumo clave para dispositivos utilizados en los sectores aeroespacial y de defensa, según afirma el gobierno estadounidense.
Además, como parte de los términos de la adjudicación, GlobalWafers ha acordado convertir una parte de sus actuales instalaciones de fabricación de obleas de silicio epitaxial en Sherman, Texas, a la fabricación de obleas de carburo de silicio epitaxial. Las obleas de carburo de silicio para epitaxia son un componente esencial para aplicaciones de alto voltaje, como vehículos eléctricos e infraestructuras de energía limpia.