SK hynix realizó el lanzamiento de un nuevo tipo de memoria DRAM para dispositivos móviles que busca ofrecer una disipación más eficiente del calor. Con el uso de nuevos materiales para su fabricación, el fabricante surcoreano afirma que estas nuevas memorias contribuirán a una mayor duración de la batería y una mayor vida útil de los dispositivos móviles, al mejorar su rendimiento y reducir el consumo de energía.

Según la compañía, la fabricación de estas memorias más eficientes se logró mediante la adopción del compuesto de moldeo epoxi (EMC) de Alta K por primera vez en la industria el molde de la memoria, que mejora la conductividad térmica en 3.5 veces y reduce la resistencia térmica en un 47%.

La introducción de este nuevo material para la fabricación de memoria DRAM de los dispositivos móviles busca atender un problema emergente: la generación de calor por la rápida transferencia de datos entre el procesador y la memoria, provocado por el uso de nuevas tareas de Inteligencia Artificial (IA).

SK hynix encontró la solución en la mejora de la conductividad térmica del EMC, un material crítico que recubre el paquete de la DRAM, para lo que desarrolló el EMC de Alta K añadiendo alúmina al silicio, que se ha adoptado hasta la fecha como material EMC.

“Es un logro significativo que va más allá de una simple mejora del rendimiento, ya que soluciona los inconvenientes que muchos usuarios de smartphones de alto rendimiento podían tener”, declaró Lee Gyujei, director de Desarrollo de Productos de Encapsulado.

El gigante surcoreano de tecnología, Samsung Electronics, reveló que desarrolló la primera memoria DRAM GDDR7 de 24 gigabits (Gb) del sector. Además de la alta capacidad, otras características como su velocidad le permitirán atender casos de uso que demanden memoria de alto rendimiento como los centros de datos y las estaciones de trabajo de Inteligencia Artificial (IA), también de usos tradicionales como consolas de videojuegos y vehículos autónomos.

“Tras desarrollar la primera GDDR7 de 16 Gb del sector el año pasado, Samsung ha reforzado su liderazgo tecnológico en el mercado de la DRAM para gráficos con este último logro”, afirmó YongCheol Bae, vicepresidente ejecutivo de Planificación de Productos de Memoria de Samsung.

La GDDR7 de 24 Gb utiliza DRAM de clase 10 nanómetros (nm) de 5ª generación, lo que permite aumentar la densidad de celdas en un 50 por ciento, manteniendo el mismo tamaño de encapsulado que su predecesora, según explica la compañía.

Además del nodo de proceso avanzado, se utiliza señalización de modulación de amplitud de pulsos (PAM3) de tres niveles para ayudar a alcanzar una velocidad de 40 gigabits por segundo (Gbps), lo que representa una mejora del 25 por ciento respecto a la versión anterior. El rendimiento de la GDDR7 puede mejorarse aún más hasta alcanzar los 42.5 Gbps, en función del entorno de uso.

Samsung afirma que la eficiencia energética también se ha mejorado aplicando por primera vez a la DRAM gráfica tecnologías que antes se utilizaban en productos móviles. Mediante la aplicación de métodos como la gestión del control del reloj y el diseño de doble VDD, se puede reducir significativamente el consumo innecesario de energía, lo que supone una mejora de más del 30 por ciento en la eficiencia energética.

La validación de la GDDR7 de 24 Gb en los sistemas de computación de IA de nueva generación de los principales clientes de GPU comenzará este año, con planes de comercialización para principios del próximo año.

Tres de los cinco mayores fabricantes de semiconductores en el mundo están relacionados con la fabricación de memoria, incluyendo SK Hynix, el cual reportó el mayor crecimiento de sus ingresos. Estos proveedores fueron impulsados por la mayor demanda de memoria de alto ancho de banda (HBM) destinada para aplicaciones de Inteligencia Artificial (IA), según indican las más recientes cifras de IDC.

El reporte de IDC, Mercado mundial de fabricación de dispositivos semiconductores integrados (IDM): Clasificación y visión de los 10 principales proveedores, indica que la creciente demanda de HBM, cuyo precio es entre cuatro y cinco veces superior al de la memoria tradicional, redujo la capacidad de DRAM en el mercado de dispositivos y elevó su precio, lo que impulsó significativamente los ingresos globales del mercado de memorias.

El reporte también apunta a una creciente demanda de memoria para nuevos smartphones y PC que cuentan con capacidades de IA, lo que impulsó aún más el mercado.

Por fabricante, destaca que Samsung se consolidó como el IDM con los mayores ingresos por la venta de semiconductores, con un total de 14 mil 873 millones de dólares al primer trimestre de 2024, luego de crecer 78.8 por ciento. SK hynix, por su parte, fue el proveedor de mayor crecimiento a una tasa de 144.3 por ciento, con un total de 9 mil 74 millones de dólares.

Micron, también enfocado en la fabricación de memoria, reportó un crecimiento de sus ingresos de 57.7 por ciento al primer trimestre, para un total de 5 mil 824 millones de dólares.

A lo largo de este año, estos proveedores han anunciado acuerdos preliminares con el gobierno de Estados Unidos para la instalación de plantas de chips HBM. Por ejemplo, SK Hynix reveló que recibirá un financiamiento directo de 450 millones de dólares para la instalación de una planta en Indiana, mientras que Micron será acreedor a subsidios por 6 mil millones de dólares para elevar su capacidad de producción en Nueva York.

Normalización del mercado

En general, el estudio de IDC señala que el mercado de semiconductores se ha normalizado al primer trimestre del año, recuperándose de los efectos de la pandemia de Covid-19, gracias a la estabilización del mercado de dispositivos y la demanda para cargas de trabajo de entrenamiento e inferencia de IA en los centros de datos.

Según IDC, el cómputo siguió siendo el principal campo de aplicación del IDM en el primer trimestre de 2024, con un 35 por ciento de la cuota total, frente al 29 por ciento del mismo periodo del año anterior. Le siguió el mercado de las comunicaciones inalámbricas.

Por su parte, advierte que el mercado automotriz mostró signos de ralentización por el peso de los crecientes inventarios de chips, mientras que el mercado industrial se centró en la reducción de inventarios, luego de que los clientes hubieran incrementado sus pedidos tras las interrupciones a la cadena de suministro el año pasado.

Samsung Electronics anunció el desarrollo de la primera DRAM de 128 gigabytes (GB) de la industria con soporte para Compute Express Link (CXL) 2.0, lo cual brindará un ancho de banda de hasta 35 Gbps.

La compañía surcoreana espera que la DRAM CXL de 128 GB basada en CXL 2.0 acelere la comercialización de soluciones de memoria de próxima generación. Esta nueva DRAM será compatible con PCle 5.0 (x8 carriles).

En un comunicado, Samsung explica que este nuevo componente se desarrolló en conjunto con Intel, mediante una plataforma Xeon. Samsung pertenece también a la Junta Directiva del Consorcio CXL.

“Este desarrollo innovador subraya nuestro compromiso de expandir el ecosistema CXL aún más a través de asociaciones con empresas de centros de datos, servidores y conjuntos de chips en toda la industria”, dijo Jangseok Choi, vicepresidente del Equipo de Planificación de Nuevos Negocios de Samsung Electronics.

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Por primera vez, CXL 2.0 es compatible con la agrupación de memoria (memory pooling), una técnica de administración de memoria que vincula múltiples bloques de memoria CXL en una plataforma de servidor para formar un grupo y permitir que los hosts asignen memoria dinámicamente según sea necesario.

Samsung planea comenzar a producir en masa CXL 2.0 DRAM a finales de este año y señala que está preparada para ofrecer ofertas adicionales en varias capacidades para abordar la demanda de futuras aplicaciones informáticas. Montage Technology sería la encargada de la producción de los primeros controladores compatibles con CXL 2.0.

CXL es una interfaz de próxima generación que agrega eficiencia a los aceleradores, DRAM y dispositivos de almacenamiento utilizados con CPU en sistemas de servidores de alto rendimiento. Dado que su ancho de banda y capacidad se pueden expandir cuando se usa con la DRAM principal, se espera que el avance de la tecnología genere un impacto positivo en el mercado informático de próxima generación, donde tecnologías clave como la Inteligencia Artificial (AI) y el Aprendizaje Automático (ML) han liderado a un rápido aumento de la demanda de procesamiento de datos de alta velocidad.

Samsung Electronics anunció la disponibilidad del chip DRAM DDR5 de 16 gigabits (Gb) construida con la primera tecnología de proceso de 12 nanómetros (nm) de la industria. La compañía anunció también la compatibilidad de estos chips de memoria con los nuevos procesadores Ryzen 7000 Series de AMD.

En un comunicado, Samsung explica que este hito fue posible gracias al uso de un nuevo material dieléctrico de alto κ que aumenta la capacitancia de la celda y una tecnología de diseño patentada que mejora las características críticas del circuito.

En combinación con la litografía ultravioleta extrema (EUV) de multicapa avanzada, la nueva DRAM presenta la pastilla de mayor densidad de la industria, lo que permite una ganancia del 20 por ciento en la productividad de las obleas.

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“Con un rendimiento y una eficiencia energética excepcionales, esperamos que nuestra nueva DRAM sirva como base para operaciones más sostenibles en áreas como la informática de última generación, los centros de datos y los sistemas impulsados por IA”, dijo Jooyoung Lee, vicepresidente Ejecutivo de productos y tecnología DRAM de Samsung Electronics.

En ese sentido, el fabricante surcoreano afirma que con un ahorro en el consumo de energía de un 23 por ciento en comparación a la DRAM anterior, permitirá impulsar los proyectos de sostenibilidad de la industria informática.

Samsung asegura que la DRAM de clase 12 nm permitirá ofrecer velocidades de hasta 7.2 gigabits por segundo (Gbps). Esto es equivalente al procesamiento de dos películas UHD de 30 gigabytes (GB) en solo un segundo.

Se espera que la producción en masa de esta nueva memoria comience en 2023 en una amplia gama de segmentos de mercado, en colaboración con diversos socios de la industria para respaldar la rápida expansión del cómputo de próxima generación.

Samsung anunció una nueva memoria DRAM de 512 GB para ser utilizada en actividades como la supercomputación, Inteligencia Artificial (IA) y Aprendizaje Automático, así como aplicaciones de análisis de datos.

El fabricante surcoreano aseguró que se trata de una memoria DRAM DDR5 con el primer módulo de 512 GB de la industria basado en la tecnología de proceso High-K Metal Gate (HKMG). Ello significa que ofrecerá más del doble del rendimiento que la DDR4 a hasta 7 mil 200 megabits por segundo (Mbps).

La empresa detalló que la DDR5 de Samsung utilizará tecnología HKMG de alta tecnología que tradicionalmente es utilizada en semiconductores lógicos. Explicó que con la reducción continua de las estructuras DRAM, la capa de aislamiento se ha adelgazado, lo que ha provocado una mayor corriente de fuga.

Afirmó que esta nueva memoria también utilizará aproximadamente un 13 por ciento menos de energía, lo que la hace adecuada para centros de datos donde la eficiencia energética se vuelve cada vez más crítica.

“Al llevar este tipo de innovación de procesos a la fabricación de DRAM, podemos ofrecer a nuestros clientes soluciones de memoria de alto rendimiento, pero energéticamente eficientes para alimentar las computadoras necesarias para la investigación médica, los mercados financieros, la conducción autónoma, las ciudades inteligentes y más”, comentó  Young-Soo Sohn, vicepresidente del Grupo DRAM Memory Planning/Enabling en Samsung Electronics.

Samsung dijo que actualmente prueba diversas variaciones de su familia de productos de memoria DDR5 para que los clientes los verifiquen y certifiquen, y con ello aceleren el desarrollo de las supercomputadoras.