Samsung Electronics inició la producción en masa de su memoria avanzada HBM4, lo que incluye el envío de productos comerciales a sus clientes. La introducción de estos componentes se da en medio de dificultades de acceso a chips de memoria, conforme se acelera su demanda para atender las necesidades de cómputo de los Centros de Datos para Inteligencia Artificial (IA).

En un comunicado, Samsung detalla las novedades de este nuevo chip de memoria, que incluye el uso de proceso DRAM de 10 nanómetros, hasta el apilamiento de 12 capas para una mayor densidad de transistores, logrando un mejor rendimiento respecto a las opciones actualmente disponibles en el mercado.

“En lugar de optar por el camino convencional de utilizar diseños ya probados, Samsung dio el salto y adoptó los nodos más avanzados, como la DRAM de 1c y el proceso lógico de 4 nm para HBM4”, declaró Sang Joon Hwang, vicepresidente ejecutivo y director de Desarrollo de Memoria de Samsung Electronics.

El fabricante surcoreano asegura que la memoria HBM4 ofrece una velocidad de procesamiento constante de 11.7 gigabits por segundo (Gbps), superando el estándar de la industria de 8 Gbps. También implica un aumento de 1.22 veces con respecto a la velocidad máxima de pin de 9.6 Gbps de su predecesor, el HBM3E. El rendimiento del HBM4 también se puede mejorar hasta 13 Gbps.

Además, el ancho de banda total de memoria por pila se incrementa 2.7 veces en comparación con la generación anterior, con hasta un máximo de 3.3 terabytes por segundo (TB/s).

Estos nuevos componentes de memoria aprovechan el proceso DRAM de 10 nanómetros (nm) de sexta generación (1c) de Samsung, así como tecnología de apilamiento de 12 capas, que permite lograr capacidades desde los 24 GB hasta los 36 GB. La compañía también mantendrá sus opciones de capacidad alineadas con los plazos de los clientes futuros mediante el uso de apilamiento de 16 capas, lo que ampliará la oferta hasta 48 GB.

“Al aprovechar la competitividad de nuestros procesos y la optimización del diseño, podemos asegurar un margen de rendimiento considerable, lo que nos permite satisfacer las crecientes demandas de nuestros clientes de un mayor rendimiento cuando lo necesitan”, agregó Joon Hwang.

Adicionalmente, para abordar los desafíos de consumo energético y térmico derivados de la duplicación de las operaciones de entrada y salida (E/S) de datos, Samsung ha integrado soluciones avanzadas de diseño de bajo consumo en el chip del núcleo. HBM4 también logra una mejora del 40% en la eficiencia energética al aprovechar la tecnología de bajo voltaje a través de silicio (TSV) y la optimización de la red de distribución de energía (PDN), a la vez que mejora la resistencia térmica en un 10% y la disipación de calor en un 30%, en comparación con HBM3E.

En general, Samsung resalta que está impulsando su plan de desarrollo de HBM, garantizando capacidad de producción de DRAM para cumplir con la demanda de memoria. Además, el fabricante surcoreano señala que busca expandir su colaboración técnica con socios clave, como fabricantes globales de GPU e hiperescaladores, enfocándose en el desarrollo de ASIC de próxima generación.

Samsung prevé que sus ventas de HBM se triplicarán en 2026 en comparación con 2025, para lo que está ampliando proactivamente su capacidad de producción de HBM4. Se espera que el muestreo de HBM4E comience en la segunda mitad de 2026, mientras que las muestras de HBM personalizadas comenzarán a llegar a los clientes en 2027.

Jensen Huang, CEO de Nvidia, reveló los planes de la compañía para utilizar los chips de memoria de alto ancho de banda (HBM) fabricados por Samsung, un nuevo mercado en el que la compañía surcoreana podría beneficiarse tras recibir el respaldo del mayor fabricante de chips para tareas de Inteligencia Artificial (IA).

Durante la pasada conferencia para desarrolladores GTC de Nvidia, Huang mostró abiertamente su respaldo a Samsung Electronics, que podría convertirse en uno de los proveedores encargados para fabricar los chips HBM utilizados en las unidades de procesamiento gráfico (GPU) para IA.

“La memoria HBM es muy complicada y el valor añadido es muy alto. Estamos gastando mucho dinero en HBM”, declaró Huang en una rueda de prensa en San José, California, según cita The Korea Herald.

Sin embargo, aclaró que Nvidia aún “no está utilizando la HBM3E de Samsung. Estoy verificándolo”. Esto en referencia a que estaría realizando pruebas de cualificación de los componentes fabricados por la compañía surcoreana y su compatibilidad con los componentes diseñados por Nvidia.

La memoria de alto ancho de banda (HBM) es una interfaz emergente para memorias dinámicas  síncronas de acceso aleatorio (SDRAM) apiladas en 3D. Este formato permite apilar varias capas de chips mediante canales verticales denominados TSV (through-silicon vias).

Por un lado, este formato implica nuevos beneficios como una mayor cantidad de memoria empacada en un espacio más pequeño, así como una menor distancia entre procesador y memoria. Sin embargo, también implica retos en cuanto a la fabricación, el empaquetado y la difusión del calor.

La tecnología está siendo inicialmente impulsada por SK Hynix, quien introdujo los primeros componentes en el mercado, en conjunto con Samsung y AMD. Recibir el respaldo de Nvidia, cuyas GPUs se han convertido en uno de los componentes más populares para impulsar la fiebre de Inteligencia Artificial (IA), le permitiría a Samsung retar el liderazgo actual de SK Hynix.

Desde 2022, SK Hynix ya había sido anunciado como uno de los principales proveedores de HBM3 para la GPU H100 enfocada en cargas de trabajo de IA. Más recientemente, Nvidia anunció que también había iniciado pruebas de la versión extendida HBM3E de ocho pilas de SK, cuyos primeros componentes comenzarían a ser entregados a finales de marzo.

Hace un mes, Samsung anunció que había completado el desarrollo de HBM3E de 12 pilas con una capacidad de memoria de 36 GB, con muestras que ya comenzaron a llegar a algunos clientes y con la expectativa de comenzar su producción en masa durante la primera mitad de este año. Casi al mismo tiempo, Micron anunció que había comenzado la producción en masa de su HBM3E de 8 pilas con 24 GB.

De acuerdo con cifras de TrendForce, SK hynix sería el actual líder del mercado de HBM, con una participación cercana al 53 por ciento, seguida por Samsung con 38 por ciento, mientras que Micron Technology aportaría el 9 por ciento restante.