El gigante surcoreano de tecnología, Samsung Electronics, reveló que desarrolló la primera memoria DRAM GDDR7 de 24 gigabits (Gb) del sector. Además de la alta capacidad, otras características como su velocidad le permitirán atender casos de uso que demanden memoria de alto rendimiento como los centros de datos y las estaciones de trabajo de Inteligencia Artificial (IA), también de usos tradicionales como consolas de videojuegos y vehículos autónomos.

“Tras desarrollar la primera GDDR7 de 16 Gb del sector el año pasado, Samsung ha reforzado su liderazgo tecnológico en el mercado de la DRAM para gráficos con este último logro”, afirmó YongCheol Bae, vicepresidente ejecutivo de Planificación de Productos de Memoria de Samsung.

La GDDR7 de 24 Gb utiliza DRAM de clase 10 nanómetros (nm) de 5ª generación, lo que permite aumentar la densidad de celdas en un 50 por ciento, manteniendo el mismo tamaño de encapsulado que su predecesora, según explica la compañía.

Además del nodo de proceso avanzado, se utiliza señalización de modulación de amplitud de pulsos (PAM3) de tres niveles para ayudar a alcanzar una velocidad de 40 gigabits por segundo (Gbps), lo que representa una mejora del 25 por ciento respecto a la versión anterior. El rendimiento de la GDDR7 puede mejorarse aún más hasta alcanzar los 42.5 Gbps, en función del entorno de uso.

Samsung afirma que la eficiencia energética también se ha mejorado aplicando por primera vez a la DRAM gráfica tecnologías que antes se utilizaban en productos móviles. Mediante la aplicación de métodos como la gestión del control del reloj y el diseño de doble VDD, se puede reducir significativamente el consumo innecesario de energía, lo que supone una mejora de más del 30 por ciento en la eficiencia energética.

La validación de la GDDR7 de 24 Gb en los sistemas de computación de IA de nueva generación de los principales clientes de GPU comenzará este año, con planes de comercialización para principios del próximo año.

Samsung Electronics anunció el desarrollo de la primera DRAM de 128 gigabytes (GB) de la industria con soporte para Compute Express Link (CXL) 2.0, lo cual brindará un ancho de banda de hasta 35 Gbps.

La compañía surcoreana espera que la DRAM CXL de 128 GB basada en CXL 2.0 acelere la comercialización de soluciones de memoria de próxima generación. Esta nueva DRAM será compatible con PCle 5.0 (x8 carriles).

En un comunicado, Samsung explica que este nuevo componente se desarrolló en conjunto con Intel, mediante una plataforma Xeon. Samsung pertenece también a la Junta Directiva del Consorcio CXL.

“Este desarrollo innovador subraya nuestro compromiso de expandir el ecosistema CXL aún más a través de asociaciones con empresas de centros de datos, servidores y conjuntos de chips en toda la industria”, dijo Jangseok Choi, vicepresidente del Equipo de Planificación de Nuevos Negocios de Samsung Electronics.

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Por primera vez, CXL 2.0 es compatible con la agrupación de memoria (memory pooling), una técnica de administración de memoria que vincula múltiples bloques de memoria CXL en una plataforma de servidor para formar un grupo y permitir que los hosts asignen memoria dinámicamente según sea necesario.

Samsung planea comenzar a producir en masa CXL 2.0 DRAM a finales de este año y señala que está preparada para ofrecer ofertas adicionales en varias capacidades para abordar la demanda de futuras aplicaciones informáticas. Montage Technology sería la encargada de la producción de los primeros controladores compatibles con CXL 2.0.

CXL es una interfaz de próxima generación que agrega eficiencia a los aceleradores, DRAM y dispositivos de almacenamiento utilizados con CPU en sistemas de servidores de alto rendimiento. Dado que su ancho de banda y capacidad se pueden expandir cuando se usa con la DRAM principal, se espera que el avance de la tecnología genere un impacto positivo en el mercado informático de próxima generación, donde tecnologías clave como la Inteligencia Artificial (AI) y el Aprendizaje Automático (ML) han liderado a un rápido aumento de la demanda de procesamiento de datos de alta velocidad.

Samsung Electronics anunció la disponibilidad del chip DRAM DDR5 de 16 gigabits (Gb) construida con la primera tecnología de proceso de 12 nanómetros (nm) de la industria. La compañía anunció también la compatibilidad de estos chips de memoria con los nuevos procesadores Ryzen 7000 Series de AMD.

En un comunicado, Samsung explica que este hito fue posible gracias al uso de un nuevo material dieléctrico de alto κ que aumenta la capacitancia de la celda y una tecnología de diseño patentada que mejora las características críticas del circuito.

En combinación con la litografía ultravioleta extrema (EUV) de multicapa avanzada, la nueva DRAM presenta la pastilla de mayor densidad de la industria, lo que permite una ganancia del 20 por ciento en la productividad de las obleas.

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“Con un rendimiento y una eficiencia energética excepcionales, esperamos que nuestra nueva DRAM sirva como base para operaciones más sostenibles en áreas como la informática de última generación, los centros de datos y los sistemas impulsados por IA”, dijo Jooyoung Lee, vicepresidente Ejecutivo de productos y tecnología DRAM de Samsung Electronics.

En ese sentido, el fabricante surcoreano afirma que con un ahorro en el consumo de energía de un 23 por ciento en comparación a la DRAM anterior, permitirá impulsar los proyectos de sostenibilidad de la industria informática.

Samsung asegura que la DRAM de clase 12 nm permitirá ofrecer velocidades de hasta 7.2 gigabits por segundo (Gbps). Esto es equivalente al procesamiento de dos películas UHD de 30 gigabytes (GB) en solo un segundo.

Se espera que la producción en masa de esta nueva memoria comience en 2023 en una amplia gama de segmentos de mercado, en colaboración con diversos socios de la industria para respaldar la rápida expansión del cómputo de próxima generación.

Samsung Electronics reveló que su memoria DRAM LPDDR5X fue validada para plataformas móviles con Snapdragon como la “más rápida de la industria de 8.5 gigabits por segundo (Gbps)”, con lo que se amplía la posibilidad de llevar este componente a una mayor diversidad de dispositivos.

En un comunicado, Samsung explica que esto se logró mediante la optimización de un entorno de señal de alta velocidad entre el procesador de aplicaciones y la memoria, por lo que se supera la velocidad máxima anterior de 7.5 Gbps registrada en marzo.

“La validación conjunta de la DRAM LPDDR5X de 8.5 Gbps nos ha permitido acelerar la disponibilidad en todo el mercado de esta interfaz de memoria de alta velocidad en más de un año, lo cual es un gran logro que es posible gracias a nuestra colaboración de largo tiempo con Qualcomm Technologies”, dijo Daniel Lee, vicepresidente Ejecutivo del equipo de planificación de productos de memoria de Samsung Electronics.

En ese sentido, Lee resaltó la importancia de mantener la colaboración entre los proveedores de memoria y las empresas de System-On-Chip (SoC), conforme la memoria LPDDR continúa ampliando su uso fuera de los teléfonos móviles y expandiéndose hacia las aplicaciones de centros de datos e Inteligencia Artificial (IA).

Samsung explica que gracias a sus características de bajo consumo y alto rendimiento, LPDDR DRAM se está volviendo rápidamente omnipresente en los sistemas informáticos modernos, incorporándose en dispositivos tan diversos como las PC, computación de alto rendimiento (HPC), servidores y automóviles, donde ha disfrutado de un sólido crecimiento en los últimos años.

Recientemente, LPDDR DRAM ha visto una demanda especialmente alta del mercado de PC, donde su capacidad para combinar alto rendimiento y bajo consumo de energía en un factor de forma pequeño está ayudando a los fabricantes de PC a construir computadoras portátiles más pequeñas, livianas y potentes.

En el último par de años, Qualcomm ha buscado expandir su presencia más allá de los teléfonos inteligentes y tabletas. El año pasado renovó su SoC destinado para computadoras ultraportátiles, el Snapdragon 8cx Gen 2 con 5G basado en arquitectura ARM, con el cual promete combinar la eficiencia y portabilidad del segmento móvil con la capacidad de cómputo de una PC.

Samsung destaca también los beneficios que la integración de LPDDR RAM puede ofrecer a los centros de datos y los servidores Edge, que pueden ayudar a reducir los niveles de consumo de energía, un costo total de propiedad (TCO) mejorado para los administradores del centro de datos, al tiempo que reduce las emisiones de calor y carbono para, en última instancia, reducir su impacto sobre el cambio climático.

El pasado agosto comenzaron a circular rumores sobre un posible procesador que Qualcomm estaría presentando para el mercado de servidores. Esta nueva plataforma estaría basada en el trabajo de Nuvia, compañía recientemente adquirida por Qualcomm.

Por otro lado, Samsung señala también que la memoria LPDDR es un componente cada vez más importante en los vehículos modernos. A medida que se generan más y más datos a través de funciones de conducción autónoma, se necesita una memoria de gran ancho de banda como LPDDR DRAM para procesar cantidades masivas de datos del vehículo a velocidades mucho más rápidas.

Ziad Asghar, vicepresidente de gestión de productos en Qualcomm Technologies, afirmó que la compañía es la primera en la industria móvil “en habilitar el último LPDDR5X a 8.5 Gbps en las plataformas móviles Snapdragon, lo que mejorará las experiencias de los usuarios con nuevas funciones y un rendimiento mejorado para aplicaciones móviles, de juegos, de cámara y de Inteligencia Artificial”.

Samsung anunció una nueva memoria DRAM de 512 GB para ser utilizada en actividades como la supercomputación, Inteligencia Artificial (IA) y Aprendizaje Automático, así como aplicaciones de análisis de datos.

El fabricante surcoreano aseguró que se trata de una memoria DRAM DDR5 con el primer módulo de 512 GB de la industria basado en la tecnología de proceso High-K Metal Gate (HKMG). Ello significa que ofrecerá más del doble del rendimiento que la DDR4 a hasta 7 mil 200 megabits por segundo (Mbps).

La empresa detalló que la DDR5 de Samsung utilizará tecnología HKMG de alta tecnología que tradicionalmente es utilizada en semiconductores lógicos. Explicó que con la reducción continua de las estructuras DRAM, la capa de aislamiento se ha adelgazado, lo que ha provocado una mayor corriente de fuga.

Afirmó que esta nueva memoria también utilizará aproximadamente un 13 por ciento menos de energía, lo que la hace adecuada para centros de datos donde la eficiencia energética se vuelve cada vez más crítica.

“Al llevar este tipo de innovación de procesos a la fabricación de DRAM, podemos ofrecer a nuestros clientes soluciones de memoria de alto rendimiento, pero energéticamente eficientes para alimentar las computadoras necesarias para la investigación médica, los mercados financieros, la conducción autónoma, las ciudades inteligentes y más”, comentó  Young-Soo Sohn, vicepresidente del Grupo DRAM Memory Planning/Enabling en Samsung Electronics.

Samsung dijo que actualmente prueba diversas variaciones de su familia de productos de memoria DDR5 para que los clientes los verifiquen y certifiquen, y con ello aceleren el desarrollo de las supercomputadoras.

De acuerdo con un informe de la empresa de investigación, Gartner, los ingresos mundiales de semiconductores disminuyeron un 11.9 por ciento año tras año, totalizando en 418.3 mil millones de dólares en 2019.

El estudio encontró que Intel recuperó su posición como el proveedor número 1 en el mercado, ya que la caída en el mercado impactó negativamente a muchos de los principales proveedores, incluidos Samsung Electronics, que durante 2017 y 2018 ocupó el primer lugar.

Los ingresos de Intel disminuyeron un 0.7 por ciento en 2019, impulsados ​​por una desaceleración en el mercado de servidores, un suministro continuo de CPU restringido y la venta de su negocio de módems celulares a Apple en el cuarto trimestre de 2019.

Mientras que Samsung se ubicó en la segunda posición, debido a la caída en las ventas de memorias, disminuyendo un 34 por ciento.

SK Hynix registró una participación de 5.4 por ciento, Micron Technology un 4.8 por ciento y Broadcom un 3.7 por ciento, ocupando los cinco primeros sitios de participación en el mercado.

Andrew Norwood, vicepresidente de Investigación de Gartner, mencionó que “los ingresos de DRAM disminuyeron 37.5 por ciento, debido a una sobreoferta que comenzó a fines de 2018 y se prolongó durante todo 2019. La sobreoferta fue causada por una caída repentina en la demanda del mercado a hiperescala. El inventario excesivo en los proveedores de DRAM en la segunda mitad de 2019 hizo que los precios presentaran una disminución en el precio de venta promedio (ASP) del 47.4 por ciento”.

Gartner también muestra que los productos analógicos sufrieron una disminución de 5.4 por ciento debido a la debilidad de los mercados automotrices e industriales. La optoelectrónica registró el mejor rendimiento debido al creciente número de cámaras en los teléfonos inteligentes.

“En 2020, esperamos ver un aumento en los ingresos del mercado de semiconductores después de la alta autorización de inventario para aumentar la ASP del chip, especialmente en el sector de la memoria”, dijo Norwood.

Gartner pronostica que los ingresos mundiales de semiconductores totalizarán 429 mil millones de dólares en 2019, una disminución de 9.6 por ciento en comparación con los 475 mil millones en 2018. La cifra es inferior al pronóstico del trimestre anterior (-3.4%).

“El mercado de semiconductores está siendo afectado por una serie de factores. Un entorno de precios más débil de memorias y algunos otros tipos de chips, combinado con la disputa comercial entre Estados Unidos y China y un menor crecimiento en las principales aplicaciones, incluidos teléfonos inteligentes, servidores y PC, está llevando al mercado mundial de semiconductores a su crecimiento más bajo desde 2009”, dijo Ben Lee, analista principal senior de Investigación en Gartner.

El informe indica que un exceso de oferta impulsado por la demanda en el mercado de Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio (DRAM, por sus siglas en inglés), hará que los precios bajen un 42.1 por ciento en 2019, y se espera que el exceso de oferta se extienda hasta el segundo trimestre de 2020.

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“Los gerentes de productos de semiconductores deben revisar los planes de producción e inversión para protegerse de este mercado más débil”, dijo Lee.

La disminución se debe a los signos de una recuperación más lenta de la demanda en los proveedores a hiperescala y al creciente inventario de vendedores de DRAM. Esto termina con el período más largo de sobreabastecimiento visto en la industria de DRAM, apunta la firma.

EUA vs. China

Gartner explica que la disputa en curso entre Estados Unidos y China está causando incertidumbre sobre las tasas de comercio. Las restricciones impuestas por Estados Unidos a las empresas chinas se basan en cuestiones de seguridad y tendrán un impacto a más largo plazo en la oferta y la demanda de semiconductores.

Estos problemas combinados acelerarán la producción doméstica de semiconductores de China, así como crear bifurcaciones locales de tecnologías tales como procesadores ARM. En el reporte prevé que algunos fabricantes se trasladarán fuera de China durante la disputa y muchas empresas buscarán diversificar su base de fabricación para reducir cualquier interrupción adicional.