Samsung anuncia nueva memoria DRAM de 512 GB para supercomputadoras
Samsung anunció una nueva memoria DRAM de 512 GB para ser utilizada en actividades como la supercomputación, Inteligencia Artificial (IA) y Aprendizaje Automático, así como aplicaciones de análisis de datos.
El fabricante surcoreano aseguró que se trata de una memoria DRAM DDR5 con el primer módulo de 512 GB de la industria basado en la tecnología de proceso High-K Metal Gate (HKMG). Ello significa que ofrecerá más del doble del rendimiento que la DDR4 a hasta 7 mil 200 megabits por segundo (Mbps).
La empresa detalló que la DDR5 de Samsung utilizará tecnología HKMG de alta tecnología que tradicionalmente es utilizada en semiconductores lógicos. Explicó que con la reducción continua de las estructuras DRAM, la capa de aislamiento se ha adelgazado, lo que ha provocado una mayor corriente de fuga.
Afirmó que esta nueva memoria también utilizará aproximadamente un 13 por ciento menos de energía, lo que la hace adecuada para centros de datos donde la eficiencia energética se vuelve cada vez más crítica.
“Al llevar este tipo de innovación de procesos a la fabricación de DRAM, podemos ofrecer a nuestros clientes soluciones de memoria de alto rendimiento, pero energéticamente eficientes para alimentar las computadoras necesarias para la investigación médica, los mercados financieros, la conducción autónoma, las ciudades inteligentes y más”, comentó Young-Soo Sohn, vicepresidente del Grupo DRAM Memory Planning/Enabling en Samsung Electronics.
Samsung dijo que actualmente prueba diversas variaciones de su familia de productos de memoria DDR5 para que los clientes los verifiquen y certifiquen, y con ello aceleren el desarrollo de las supercomputadoras.